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AON7452
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 2.5A/5.5A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SDMOS™ 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A（Ta），5.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 310 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.7V @ 250µA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），17W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 185 pF @ 50 V
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 2.5A/5.5A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SDMOS™ 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A（Ta），5.5A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 310 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.7V @ 250µA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），17W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 185 pF @ 50 V
AONR21307
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
Vgs(th)(Max)@Id: 2.3V @ 250µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 4.5V, 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 50 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: 8-DFN-EP (3x3) BaseProductNumber: AONR213 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 24A (Tc) Vgs(Max): ±25V Mfr: Alpha & Omega Semiconductor Inc. PowerDissipation(Max): 5W (Ta), 28W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 30 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 11mOhm @ 17A, 10V Package/Case: 8-PowerVDFN MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 1995 pF @ 15 V Series: - FETType: P-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.29.0095
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
Vgs(th)(Max)@Id: 2.3V @ 250µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 4.5V, 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 50 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: 8-DFN-EP (3x3) BaseProductNumber: AONR213 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 24A (Tc) Vgs(Max): ±25V Mfr: Alpha & Omega Semiconductor Inc. PowerDissipation(Max): 5W (Ta), 28W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 30 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 11mOhm @ 17A, 10V Package/Case: 8-PowerVDFN MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 1995 pF @ 15 V Series: - FETType: P-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.29.0095
AOI4144_002
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 13A/55A TO251A
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SDMOS™ 包装: 散装 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta），55A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.3W（Ta），50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-251A 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 28 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1430 pF @ 15 V
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 13A/55A TO251A
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SDMOS™ 包装: 散装 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta），55A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.3W（Ta），50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-251A 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 28 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1430 pF @ 15 V
AON7460
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 300V 1.2A/4A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.2A（Ta），4A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 830 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），33W（Tc） 工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 300 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.2 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 380 pF @ 25 V
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 300V 1.2A/4A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.2A（Ta），4A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 830 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），33W（Tc） 工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 300 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.2 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 380 pF @ 25 V
AO4616L_102
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A，7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 888pF @ 15V 功率 - 最大值: 2W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A，7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 888pF @ 15V 功率 - 最大值: 2W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
AOB15S60L
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 15A TO263
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: aMOS™ 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 208W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D²Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15.6 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 717 pF @ 100 V 基本产品编号: AOB15S60
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 15A TO263
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: aMOS™ 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 208W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D²Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15.6 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 717 pF @ 100 V 基本产品编号: AOB15S60
AOI4N60
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 104W（Tc） TO-251A
类别: 分立半导体产品 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.3 欧姆 @ 2A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 14.5nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 640pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 104W（Tc） 工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-251A 封装/外壳: TO-251-3 短截引线，IPak
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 104W（Tc） TO-251A
类别: 分立半导体产品 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.3 欧姆 @ 2A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 14.5nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 640pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 104W（Tc） 工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-251A 封装/外壳: TO-251-3 短截引线，IPak
AOWF12N60
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 28W（Tc）
类别: 分立半导体产品 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 12A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 550 毫欧 @ 6A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 50nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2100pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 28W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-262-3 整包，I²Pak
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 28W（Tc）
类别: 分立半导体产品 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 12A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 550 毫欧 @ 6A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 50nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2100pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 28W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-262-3 整包，I²Pak
AO4485
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
Vgs(th)(Max)@Id: 2.5V @ 250µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 4.5V, 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 55 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: 8-SOIC BaseProductNumber: AO44 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 10A (Ta) Vgs(Max): ±20V Mfr: Alpha & Omega Semiconductor Inc. PowerDissipation(Max): 1.7W (Ta) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 40 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Package/Case: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 3000 pF @ 20 V Series: - FETType: P-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.29.0095
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
Vgs(th)(Max)@Id: 2.5V @ 250µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 4.5V, 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 55 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: 8-SOIC BaseProductNumber: AO44 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 10A (Ta) Vgs(Max): ±20V Mfr: Alpha & Omega Semiconductor Inc. PowerDissipation(Max): 1.7W (Ta) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 40 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Package/Case: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 3000 pF @ 20 V Series: - FETType: P-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.29.0095