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商品列表
CPT600100D
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
PCN过时产品/EOL: Multiple Devices 30/Oct/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: 二极管，整流器 - 阵列 系列: - 包装: 散装 二极管配置: 1 对串联 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 100V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 300A 不同If时的电压-正向（Vf）: 850mV @ 300A 速度: 快速恢复 =<500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: - 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 8mA @ 100V 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-244AB 供应商器件封装: TO-244AB
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
PCN过时产品/EOL: Multiple Devices 30/Oct/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: 二极管，整流器 - 阵列 系列: - 包装: 散装 二极管配置: 1 对串联 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 100V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 300A 不同If时的电压-正向（Vf）: 850mV @ 300A 速度: 快速恢复 =<500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: - 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 8mA @ 100V 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-244AB 供应商器件封装: TO-244AB
APTGT30DSK60T3G
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: IGBT - 模块 系列: - IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 双路降压斩波器 电压-集射极击穿（最大值）: 600V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 50A 功率-最大值: 90W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止（最大值）: 250µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 1.6nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 是 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SP3 供应商器件封装: SP3
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: IGBT - 模块 系列: - IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 双路降压斩波器 电压-集射极击穿（最大值）: 600V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 50A 功率-最大值: 90W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 1.9V @ 15V，30A 电流-集电极截止（最大值）: 250µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 1.6nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 是 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SP3 供应商器件封装: SP3
UFT12780
供应商: Digi-Key
分类: 二极管，整流器 - 阵列
类别: 分立半导体产品 家庭: 二极管，整流器 - 阵列 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 包装: 散装 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 800V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 60A 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.35V @ 60A 速度: 快速恢复 =<500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 80ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 30µA @ 800V 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块
供应商: Digi-Key
分类: 二极管，整流器 - 阵列
类别: 分立半导体产品 家庭: 二极管，整流器 - 阵列 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 包装: 散装 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 800V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 60A 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.35V @ 60A 速度: 快速恢复 =<500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 80ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 30µA @ 800V 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块
CPT500100
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
PCN过时产品/EOL: Multiple Devices 30/Oct/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: 二极管，整流器 - 阵列 系列: - 包装: 散装 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 100V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 250A 不同If时的电压-正向（Vf）: 900mV @ 250A 速度: 快速恢复 =<500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: - 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 8mA @ 100V 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-244AB 供应商器件封装: TO-244AB
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
PCN过时产品/EOL: Multiple Devices 30/Oct/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: 二极管，整流器 - 阵列 系列: - 包装: 散装 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 100V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 250A 不同If时的电压-正向（Vf）: 900mV @ 250A 速度: 快速恢复 =<500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: - 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 8mA @ 100V 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-244AB 供应商器件封装: TO-244AB
APTC80DA15T1G
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 散装 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 800V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 28A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 150 毫欧 @ 14A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.9V @ 2mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 180nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 4507pF @ 25V 功率-最大值: 277W 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SP1 供应商器件封装: SP1
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 散装 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 800V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 28A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 150 毫欧 @ 14A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.9V @ 2mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 180nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 4507pF @ 25V 功率-最大值: 277W 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SP1 供应商器件封装: SP1
2225-4L
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 包装: 散装 零件状态: 上次购买时间 晶体管类型: NPN 电压-集射极击穿（最大值）: 40V 频率-跃迁: 2.2GHz ~ 2.5GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）: - 增益: 8.5dB 功率-最大值: 10W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 20 @ 200mA，5V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 600mA 工作温度: 200°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 55LV 供应商器件封装: 55LV
供应商: Digi-Key
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
类别: 分立半导体产品 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 包装: 散装 零件状态: 上次购买时间 晶体管类型: NPN 电压-集射极击穿（最大值）: 40V 频率-跃迁: 2.2GHz ~ 2.5GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）: - 增益: 8.5dB 功率-最大值: 10W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 20 @ 200mA，5V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 600mA 工作温度: 200°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 55LV 供应商器件封装: 55LV
APTGT100DSK60T3G
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: IGBT - 模块 系列: - IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 双路降压斩波器 电压-集射极击穿（最大值）: 600V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大值: 340W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止（最大值）: 250µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 6.1nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 是 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SP3 供应商器件封装: SP3
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: IGBT - 模块 系列: - IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 双路降压斩波器 电压-集射极击穿（最大值）: 600V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 150A 功率-最大值: 340W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 1.9V @ 15V，100A 电流-集电极截止（最大值）: 250µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 6.1nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 是 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SP3 供应商器件封装: SP3
APT15GT60KRG
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: IGBT - 单路 系列: Thunderbolt IGBT® 包装: 管件 IGBT类型: NPT 电压-集射极击穿（最大值）: 600V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 42A 脉冲电流-集电极(Icm): 45A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.5V @ 15V，15A 功率-最大值: 184W 开关能量: 150µJ（开），215µJ（关） 输入类型: 标准 栅极电荷: 75nC 25°C时Td（开/关）值: 6ns/105ns 测试条件: 400V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）: - 封装/外壳: TO-220-3 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 [K]
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: IGBT - 单路 系列: Thunderbolt IGBT® 包装: 管件 IGBT类型: NPT 电压-集射极击穿（最大值）: 600V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 42A 脉冲电流-集电极(Icm): 45A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.5V @ 15V，15A 功率-最大值: 184W 开关能量: 150µJ（开），215µJ（关） 输入类型: 标准 栅极电荷: 75nC 25°C时Td（开/关）值: 6ns/105ns 测试条件: 400V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）: - 封装/外壳: TO-220-3 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 [K]
APTGT50DA120D1G
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: IGBT - 模块 系列: - IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单一 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大值: 270W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止（最大值）: 5mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 3.6nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D1 供应商器件封装: D1
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: IGBT - 模块 系列: - IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 单一 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 75A 功率-最大值: 270W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，50A 电流-集电极截止（最大值）: 5mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 3.6nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D1 供应商器件封装: D1
APTGT150A60TG
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: IGBT - 模块 系列: - IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 半桥 电压-集射极击穿（最大值）: 600V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 225A 功率-最大值: 480W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止（最大值）: 250µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 9.2nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 是 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SP4 供应商器件封装: SP4
供应商: Digi-Key
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: IGBT - 模块 系列: - IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 半桥 电压-集射极击穿（最大值）: 600V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 225A 功率-最大值: 480W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 1.9V @ 15V，150A 电流-集电极截止（最大值）: 250µA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 9.2nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 是 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SP4 供应商器件封装: SP4