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恒行娱乐注册 Thermal Compounds is a manufacturer of dependable thermal management solutions including thermal paste heat sink compounds silicone grease and non-silicone grease.
商品列表
AO4618
供应商: Verical
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）,FET类型:N和P沟道,漏源极电压（Vdss）:40V,安装类型:表面贴装(SMT)
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm宽） FET类型: N和P沟道 漏源极电压（Vdss）: 40V 安装类型: 表面贴装(SMT)
供应商: Verical
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）,FET类型:N和P沟道,漏源极电压（Vdss）:40V,安装类型:表面贴装(SMT)
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm宽） FET类型: N和P沟道 漏源极电压（Vdss）: 40V 安装类型: 表面贴装(SMT)
AO6800
供应商: corestaff
供应商: corestaff
AO4616
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:8A 电流:7A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A；7A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@8A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压Vgs(th): 1.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 8A,7A 漏源击穿电压BVDSS: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 反向传输电容Crss: 82pF，125pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 互补型 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: 逻辑电平门 栅极电荷(Qg)(Max): 18nC@10V 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: -
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:8A 电流:7A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A；7A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@8A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压Vgs(th): 1.8V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 8A,7A 漏源击穿电压BVDSS: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOIC8_150MIL 反向传输电容Crss: 82pF，125pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 互补型 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: 逻辑电平门 栅极电荷(Qg)(Max): 18nC@10V 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: -
AO4354
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 23A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 技术: MOSFET (Metal Oxide) 功率耗散: 3.1W 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 23A 漏源击穿电压BVDSS: ±20V 封装/外壳: SO8_150MIL 栅极源极击穿电压: 5.3mΩ 反向传输电容Crss: 124pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.7毫欧@20A，10V FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 49nC@10V 最小包装: 3000pcs 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 23A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
安装类型: SMT 技术: MOSFET (Metal Oxide) 功率耗散: 3.1W 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 23A 漏源击穿电压BVDSS: ±20V 封装/外壳: SO8_150MIL 栅极源极击穿电压: 5.3mΩ 反向传输电容Crss: 124pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.7毫欧@20A，10V FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 49nC@10V 最小包装: 3000pcs 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
AON6144
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: DFN8_5.55X5.2MM_EP 78W
安装类型: SMT 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 100A 包装: Tape/reel 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 50nC 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.4毫欧@20A，10V FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 70nC@10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 0.95mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: DFN8_5.55X5.2MM_EP 78W
安装类型: SMT 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 100A 包装: Tape/reel 长x宽/尺寸: 5.55 x 5.20mm 封装/外壳: DFN8_5.55X5.2MM_EP 制造商标准提前期: 16 周 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 50nC 配置: 单路 系列: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.4毫欧@20A，10V FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 70nC@10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 0.95mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
AON6236
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 40V,30A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: 恒行娱乐注册 技术: - 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 30A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: ±20V 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 栅极源极击穿电压: 10.5mΩ 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 26nC@10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 40V,30A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: 恒行娱乐注册 技术: - 原始制造商: Alpha & Omega Semiconductor, Ltd 阈值电压Vgs(th): 2.4V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 30A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: ±20V 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 栅极源极击穿电压: 10.5mΩ 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 26nC@10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 晶体管类型: N沟道
AOZ8802ADI
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS二极管 VRWM=5 V VBR(Min)=6 V VC=16.5 V IPP=12A DFN6_1.6X1MM
工作电压VR-VI(max): 5V（max） 安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: AOZ 钳位电压 VC: 16.5V 工作电流: 1μA 电源线路保护: 是 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/Reel 结电容值: 0.6pF@1MHz 长x宽/尺寸: 1.60 x 1.00mm 封装/外壳: DFN6_1.6X1MM 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 12A 极性（单双向）: 单向 供应商器件封装: 6-DFN 击穿电压 V(BR)-min: 6V 最小包装: 3000pcs 通道数: 2 高度: 0.55mm
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS二极管 VRWM=5 V VBR(Min)=6 V VC=16.5 V IPP=12A DFN6_1.6X1MM
工作电压VR-VI(max): 5V（max） 安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: AOZ 钳位电压 VC: 16.5V 工作电流: 1μA 电源线路保护: 是 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 包装: Tape/Reel 结电容值: 0.6pF@1MHz 长x宽/尺寸: 1.60 x 1.00mm 封装/外壳: DFN6_1.6X1MM 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 12A 极性（单双向）: 单向 供应商器件封装: 6-DFN 击穿电压 V(BR)-min: 6V 最小包装: 3000pcs 通道数: 2 高度: 0.55mm
AO3424
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V,3.8A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.4W 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 阈值电压Vgs(th): 1.8V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3.8A 包装: Tape/reel 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 3.2nC 最小包装: 3000pcs 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 30V,3.8A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 1.4W 原始制造商: Alpha and Omega Semiconductor 阈值电压Vgs(th): 1.8V@250µA 连续漏极电流Id@25℃: 3.8A 包装: Tape/reel 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 系列: - 原产国家: America FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 3.2nC 最小包装: 3000pcs 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
AO3442
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 100V,1A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 阈值电压Vgs(th): 2.3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 1A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 5pF 漏极电流Idss: 1A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 2.8nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 6nC@10V 漏源电压(Vdss): 100V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 100V,1A,N沟道MOSFET
安装类型: SMT 阈值电压Vgs(th): 2.3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 1A 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 5pF 漏极电流Idss: 1A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 2.8nC 配置: 单路 系列: - FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 6nC@10V 漏源电压(Vdss): 100V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AON7418
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 耐压:30V 电流:46A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):46A 功率(Pd):6.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.7mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA MOSFETN-CH30V46A8DFN
安装类型: SMT 品牌: 恒行娱乐注册 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 46A 极性: N-沟道 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 长x宽/尺寸: 3.30 x 3.30mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 输入电容Ciss: 2.994nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.7毫欧@20A，10V 原产国家: America FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 65nC@10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.80mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 耐压:30V 电流:46A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):46A 功率(Pd):6.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.7mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA MOSFETN-CH30V46A8DFN
安装类型: SMT 品牌: 恒行娱乐注册 阈值电压Vgs(th): 2.2V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 46A 极性: N-沟道 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 长x宽/尺寸: 3.30 x 3.30mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 输入电容Ciss: 2.994nF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.7毫欧@20A，10V 原产国家: America FET功能: - 栅极电荷(Qg)(Max): 65nC@10V 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 0.80mm 晶体管类型: N沟道