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商品列表
MTN3400N3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.4V@250μA 30V/5.8A/N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.4V@250μA 30V/5.8A/N沟道
BSS123N3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：1.7A 功率(Pd)：1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：400mΩ@10V,700mA 100V/1.7A/N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：1.7A 功率(Pd)：1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：400mΩ@10V,700mA 100V/1.7A/N沟道
MTEF1P15Q8
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：1.6A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：800mΩ@10V,1.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.5V@250μA -150V/1.6A P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：1.6A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：800mΩ@10V,1.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.5V@250μA -150V/1.6A P沟道
MTB40P06Q8
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA -60V/-6.2A /P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA -60V/-6.2A /P沟道
MTN3440N6
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：3.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：320mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA 150V/N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：3.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：320mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA 150V/N沟道
MTN003N02Y3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：560mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：400mΩ@4V,300mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA 20V/0.56A N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：560mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：400mΩ@4V,300mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA 20V/0.56A N沟道
MTE050N15BRH8
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：36W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,3.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA 150V/16A@TC=25℃,4.3A@Ta=25℃/ N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：36W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,3.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA 150V/16A@TC=25℃,4.3A@Ta=25℃/ N沟道
MTE65N20H8
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：107W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA 200V/24A N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：24A 功率(Pd)：107W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA 200V/24A N沟道
MTE030N15RQ8
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：5.6A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：38mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA 150V/5.6A@Ta=25℃/N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：5.6A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：38mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA 150V/5.6A@Ta=25℃/N沟道