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商品列表
AOZ1374DI-01
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 配电开关，负载驱动器
描述: 20V USB SWITCH OCP AND RCB DFN
Voltage-Supply(Vcc/Vdd): Not Required Category: Integrated Circuits (ICs)Power Management (PMIC)Power Distribution Switches, Load Drivers Ratio-Input:Output: 1:1 NumberofOutputs: 1 SupplierDevicePackage: 10-DFN (3x3) BaseProductNumber: AOZ1374 Mfr: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Current-Output(Max): 3.5A FaultProtection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO Features: Auto Restart, Latch Function OutputType: N-Channel RdsOn(Typ): 36mOhm RoHSStatus: ROHS3 Compliant OperatingTemperature: -40°C ~ 125°C (TJ) ProductStatus: Active Package/Case: 10-VFDFN Exposed Pad MoistureSensitivityLevel(MSL): 3 (168 Hours) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount SwitchType: USB Switch Series: ECPower™ InputType: Non-Inverting Voltage-Load: 3.4V ~ 23V OutputConfiguration: High Side Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8542.39.0001 Interface: On/Off
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 配电开关，负载驱动器
描述: 20V USB SWITCH OCP AND RCB DFN
Voltage-Supply(Vcc/Vdd): Not Required Category: Integrated Circuits (ICs)Power Management (PMIC)Power Distribution Switches, Load Drivers Ratio-Input:Output: 1:1 NumberofOutputs: 1 SupplierDevicePackage: 10-DFN (3x3) BaseProductNumber: AOZ1374 Mfr: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Current-Output(Max): 3.5A FaultProtection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO Features: Auto Restart, Latch Function OutputType: N-Channel RdsOn(Typ): 36mOhm RoHSStatus: ROHS3 Compliant OperatingTemperature: -40°C ~ 125°C (TJ) ProductStatus: Active Package/Case: 10-VFDFN Exposed Pad MoistureSensitivityLevel(MSL): 3 (168 Hours) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount SwitchType: USB Switch Series: ECPower™ InputType: Non-Inverting Voltage-Load: 3.4V ~ 23V OutputConfiguration: High Side Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8542.39.0001 Interface: On/Off
AOZ8244DI-05
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 5V 20V 3DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）: - 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 20V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 15A 功率 - 峰值脉冲: - 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 3-UFDFN 供应商器件封装: 3-DFN（1.0 x 0.60） 双向通道: 4
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 5V 20V 3DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）: - 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 20V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 15A 功率 - 峰值脉冲: - 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 3-UFDFN 供应商器件封装: 3-DFN（1.0 x 0.60） 双向通道: 4
AOY423
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO251B
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Ta），70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.7 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），90W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-251B 封装/外壳: TO-251-3 短截引线，IPak 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 65 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2760 pF @ 15 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO251B
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Ta），70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.7 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），90W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-251B 封装/外壳: TO-251-3 短截引线，IPak 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 65 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2760 pF @ 15 V
AO8804
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8TSSOP
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1810pF @ 10V 功率 - 最大值: 1.5W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 8-TSSOP
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8TSSOP
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1810pF @ 10V 功率 - 最大值: 1.5W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 8-TSSOP
AON6794
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 39A/85A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 不适用于新设计 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 39A（Ta），85A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.9V @ 250µA Vgs（最大值）: ±12V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 6.2W（Ta），42W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（5x6） 封装/外壳: 8-PowerSMD，扁平引线 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 37.5 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2150 pF @ 15 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 39A/85A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 不适用于新设计 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 39A（Ta），85A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.9V @ 250µA Vgs（最大值）: ±12V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 6.2W（Ta），42W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（5x6） 封装/外壳: 8-PowerSMD，扁平引线 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 37.5 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2150 pF @ 15 V
AOT460
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 60V 85A TO220
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 85A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 268W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 88 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4560 pF @ 30 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 60V 85A TO220
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 85A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 268W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 88 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4560 pF @ 30 V
AOL1700
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 17A/85A ULTRASO8
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SRFET™ 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Ta），85A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: 肖特基二极管（体） 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），100W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: UltraSO-8™ 封装/外壳: 3-PowerSMD，引线 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 74 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4512 pF @ 15 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 17A/85A ULTRASO8
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SRFET™ 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Ta），85A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: 肖特基二极管（体） 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），100W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: UltraSO-8™ 封装/外壳: 3-PowerSMD，引线 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 74 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4512 pF @ 15 V
AON6980
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 30V 18A/27A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SRFET™ 零件状态: 在售 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A，27A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1095pF @ 15V 功率 - 最大值: 3.5W，4.1W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-DFN（5x6）
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 30V 18A/27A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: SRFET™ 零件状态: 在售 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A，27A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1095pF @ 15V 功率 - 最大值: 3.5W，4.1W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-DFN（5x6）
AOT14N50
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 14A TO220
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 380 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 278W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2297 pF @ 25 V 基本产品编号: AOT14
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 14A TO220
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 380 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 278W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2297 pF @ 25 V 基本产品编号: AOT14
AOL1454
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 40V 12A/50A ULTRASO8
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 不适用于新设计 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Ta），50A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），60W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: UltraSO-8™ 封装/外壳: 3-PowerSMD，引线 漏源电压（Vdss）: 40 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1920 pF @ 20 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 40V 12A/50A ULTRASO8
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 不适用于新设计 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Ta），50A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），60W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: UltraSO-8™ 封装/外壳: 3-PowerSMD，引线 漏源电压（Vdss）: 40 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1920 pF @ 20 V